ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MMBFJ175LT1G, Транзистор JFET 25V 10mA, [SOT-23-3 / TO-236] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MMBFJ175LT1G, Транзистор JFET 25V 10mA, [SOT-23-3 / TO-236]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
MMBFJ175LT1G, Транзистор JFET 25V 10mA, [SOT-23-3 / TO-236]
Последняя цена
150 руб.
Сравнить
Описание
P-канальный JFET, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MMBFJ175LT1G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1783148
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.05
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.4мм
Высота
1.01
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
125 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
15 В
Тип канала
A, P
Длина
3.04мм
Конфигурация
Одинарный
Тип корпуса
SOT-23
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
ON Semiconductor
Число контактов
3
Запирающий ток сток-исток Idss
-7 → -60mA
Емкость исток-затвор
11 pF @ -10 V
Емкость сток-затвор
11 pF @ 0 V
Максимальное напряжение сток-затвор
-25V
Техническая документация
MMBFJ175LT1 , pdf
, 111 КБ
Datasheet MMBFJ175LT1G , pdf
, 172 КБ
Datasheet MMBFJ175LT1G , pdf
, 86 КБ
Datasheet , pdf
, 169 КБ