ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP80NF55-06, Транзистор MOSFET N-CH 55V 80A [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP80NF55-06, Транзистор MOSFET N-CH 55V 80A [TO-220]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP80NF55-06, Транзистор MOSFET N-CH 55V 80A [TO-220]
Последняя цена
414 руб.
Сравнить
Описание
N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics
МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STP80NF55-06
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793630
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
to-220
Рассеиваемая Мощность
300Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
55В
Непрерывный Ток Стока
80А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0065Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
3В
Вес, г
2.843
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 2 - 1 год
Линия Продукции
STP Series
Техническая документация
Datasheet STP80NF55-06 , pdf
, 438 КБ
Datasheet , pdf
, 438 КБ