ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP80NF55-08, МОП-транзистор, N-канальный, 80 А, 55 В, 8 мОм, 10 В, 3 В, [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP80NF55-08, МОП-транзистор, N-канальный, 80 А, 55 В, 8 мОм, 10 В, 3…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP80NF55-08, МОП-транзистор, N-канальный, 80 А, 55 В, 8 мОм, 10 В, 3 В, [TO-220]
Последняя цена
220 руб.
Сравнить
Описание
N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics
МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STP80NF55-08
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793631
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
80
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.008 Ом/40А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
300
Крутизна характеристики, S
40
Корпус
to-220
Техническая документация
en.CD00187183 , pdf
, 358 КБ
STP80NF55-08 , pdf
, 346 КБ
Datasheet STB80NF55-06T4 , pdf
, 358 КБ