IHW20N120R3FKSA1, IGBT
Производитель: Infineon Technologies, IHW20N120R3FKSA1
Semiconductors IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, от 1100 до 1600 В Линейка IGBT-транзисторов от Infineon с ном…
IGW75N60TFKSA1, IGBT, 150 A 600 V, 3-Pin TO-247
Производитель: Infineon Technologies, IGW75N60TFKSA1
Semiconductors IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, 600 и 650 В Линейка IGBT-транзисторов Infineon с номинальным…
IGW50N65F5FKSA1, IGBT
Производитель: Infineon Technologies, IGW50N65F5FKSA1
Semiconductors IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, 600 и 650 В Линейка IGBT-транзисторов Infineon с номинальным…
IGW50N60TFKSA1, IGBT
Производитель: Infineon Technologies, IGW50N60TFKSA1
Semiconductors IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, 600 и 650 В Линейка IGBT-транзисторов Infineon с номинальным…
IGW30N60TFKSA1, IGBT
Производитель: Infineon Technologies, IGW30N60TFKSA1
Semiconductors IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, 600 и 650 В Линейка IGBT-транзисторов Infineon с номинальным…
IGW25N120H3FKSA1, БТИЗ транзистор, 50 А, 2.05 В, 326 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
Производитель: Infineon Technologies, IGW25N120H3FKSA1
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные IGW25N120H3 - это высокоскоростной IGBT в траншее и технология полевого останов…
IGW25N120H3FKSA1, IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-247
Производитель: Infineon Technologies, IGW25N120H3FKSA1
Semiconductors IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, от 1100 до 1600 В Линейка IGBT-транзисторов от Infineon с ном…
IGW15N120H3FKSA1, IGBT, 15 A 1200 V, 3-Pin TO-247
Производитель: Infineon Technologies, IGW15N120H3FKSA1
Semiconductors IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, от 1100 до 1600 В Линейка IGBT-транзисторов от Infineon с ном…
IGP50N60TXKSA1, IGBT
Производитель: Infineon Technologies, IGP50N60TXKSA1
Semiconductors IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, 600 и 650 В Линейка IGBT-транзисторов Infineon с номинальным…
HGTG30N60B3, IGBT
Производитель: ON Semiconductor, HGTG30N60B3
Semiconductors 30A Низкое напряжение насыщения • Время спада 90 нс при TJ = 150 ° C • 208 Вт Общая рассеиваемая мощность при TC…