ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IGW50N60TFKSA1, IGBT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IGW50N60TFKSA1, IGBT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IGW50N60TFKSA1, IGBT
Последняя цена
460 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, 600 и 650 В
Линейка IGBT-транзисторов Infineon с номинальным напряжением коллектор-эмиттер 600 и 650 В с технологией TrenchStop ™. Ассортимент включает устройства со встроенным высокоскоростным антипараллельным диодом с быстрым восстановлением.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IGW50N60TFKSA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1249174
Технические параметры
Производитель
Infineon
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Brand
Infineon
Base Product Number
IGW50N60 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Length
16.13mm
Transistor Configuration
Одинарный
Energy Rating
3.6mJ
Channel Type
N
Длина
16.13мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
90 А
Максимальное рассеяние мощности
333 Вт
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
21.1мм
Число контактов
3
Размеры
16.13 x 5.21 x 21.1мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Емкость затвора
3140пФ
Current - Collector (Ic) (Max)
100A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150A
Gate Charge
310nC
Power - Max
333W
Switching Energy
2.6mJ
Td (on/off) @ 25В°C
26ns/299ns
Test Condition
400V, 50A, 7Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Тип канала
N
Максимальная рабочая температура
+175 °C
IGBT Type
Trench Field Stop
Ширина
5.21мм
Конфигурация
Single
Вес, г
2.5
Pd - рассеивание мощности
333 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
90 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
240
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-247-3
Другие названия товара №
IGW50N60T SP000054926
Серия
Trenchstop IGBT3
Технология
Si
Series
TrenchStopВ® ->
Коммерческое обозначение
TRENCHSTOP
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 446 КБ
Datasheet IGW50N60TFKSA1 , pdf
, 490 КБ
