ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IGP50N60TXKSA1, IGBT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IGP50N60TXKSA1, IGBT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IGP50N60TXKSA1, IGBT
Последняя цена
490 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, 600 и 650 В
Линейка IGBT-транзисторов Infineon с номинальным напряжением коллектор-эмиттер 600 и 650 В с технологией TrenchStop ™. Ассортимент включает устройства со встроенным высокоскоростным антипараллельным диодом с быстрым восстановлением.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IGP50N60TXKSA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1249158
Технические параметры
Производитель
Infineon
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Brand
Infineon
Base Product Number
IGP50N60 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Collector Emitter Voltage
600 В
Maximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Power Dissipation
333 W
Energy Rating
3.6mJ
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Height
15.95mm
Pin Count
3
Channel Type
N
Gate Capacitance
3140pF
Длина
10.36мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
50 A
Максимальное рассеяние мощности
333 Вт
Номинальная энергия
3.6mJ
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
15.95мм
Число контактов
3
Размеры
10.36 x 4.57 x 15.95мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Емкость затвора
3140пФ
Current - Collector (Ic) (Max)
100A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150A
Gate Charge
310nC
Power - Max
333W
Switching Energy
2.6mJ
Td (on/off) @ 25В°C
26ns/299ns
Test Condition
400V, 50A, 7Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Тип канала
N
Максимальная рабочая температура
+175 °C
IGBT Type
Trench Field Stop
Ширина
4.57мм
Конфигурация
Single
Вес, г
1.25
Pd - рассеивание мощности
333 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
90 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
500
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-220-3
Другие названия товара №
IGP50N60T IGP5N6TXK SP000683046
Серия
TRENCHSTOP IGBT
Технология
Si
Series
TrenchStopВ® ->
Коммерческое обозначение
TRENCHSTOP
Техническая документация
Datasheet IGP50N60TXKSA1 , pdf
, 460 КБ
