HGTG30N60B3, IGBT, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 590 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

30A Низкое напряжение насыщения
• Время спада 90 нс при TJ = 150 ° C
• 208 Вт Общая рассеиваемая мощность при TC = 25 ° C

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

HGTG30N60B3

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1244244

Технические параметры

Производитель

ON Semiconductor

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Transistor Configuration

Одинарный

Длина

15.87мм

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

60 A

Максимальное рассеяние мощности

208 Вт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

20.82мм

Число контактов

Размеры

15.87 x 4.82 x 20.82мм

Скорость переключения

1МГц

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Тип канала

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

4.82мм

Конфигурация

Single

Pd - рассеивание мощности

208 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

600 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.45 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

60 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

60 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

450

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

+/- 250 nA

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247-3

Другие названия товара №

HGTG30N60B3_NL

Серия

HGTG30N60B3

Технология

Непрерывный коллекторный ток

60 A

Техническая документация

IGBT транзисторы , pdf , 368 КБ
Datasheet HGTG30N60B3 , pdf , 395 КБ
Datasheet HGTG30N60B3 , pdf , 461 КБ

HGTG30N60B3, IGBT - характеристики, поставщики

Последняя цена 590 руб.

Техническая документация