IGW50N65F5FKSA1, IGBT, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 470 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, 600 и 650 В
Линейка IGBT-транзисторов Infineon с номинальным напряжением коллектор-эмиттер 600 и 650 В с технологией TrenchStop ™. Ассортимент включает устройства со встроенным высокоскоростным антипараллельным диодом с быстрым восстановлением.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IGW50N65F5FKSA1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1249175

Технические параметры

Производитель

Infineon

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Brand

Infineon

Package Type

TO-247

Base Product Number

IGW50N65 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-40В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO247-3

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

16.13mm

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Collector Emitter Voltage

650 В

Maximum Continuous Collector Current

50 А

Energy Rating

0.65mJ

Width

5.21mm

Pin Count

Dimensions

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Channel Type

Длина

16.13мм

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A

Максимальное рассеяние мощности

305 W

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Высота

21.1мм

Число контактов

Размеры

16.13 x 5.21 x 21.1мм

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Емкость затвора

3000пФ

Current - Collector (Ic) (Max)

80A

Current - Collector Pulsed (Icm)

150A

Gate Charge

120nC

Power - Max

305W

Switching Energy

490ВµJ (on), 160ВµJ (off)

Td (on/off) @ 25В°C

21ns/175ns

Test Condition

400V, 25A, 12Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

650V

Тип канала

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

5.21мм

Конфигурация

Single

Configuration

Single

Вес, г

1.25

Packaging

Tube

Pd - рассеивание мощности

305 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

650 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.6 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

80 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

240

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247-3

Другие названия товара №

IGW50N65F5 SP000973426

Серия

TRENCHSTOP 5 F5

Технология

Series

TrenchStopВ® ->

Коммерческое обозначение

TRENCHSTOP

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

650

Maximum Gate Emitter Voltage (V)

±20

Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)

1.6

Maximum Continuous Collector Current (A)

Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)

0.1

Maximum Power Dissipation (mW)

305000

Minimum Operating Temperature (°C)

-40

Maximum Operating Temperature (°C)

175

Automotive

Supplier Package

TO-247

Standard Package Name

TO-247

Military

Mounting

Through Hole

Package Height

20.95

Package Length

15.9

Package Width

5.03

PCB changed

Tab

Lead Shape

Through Hole

Техническая документация

Datasheet IGW50N65F5FKSA1 , pdf , 1998 КБ
Datasheet IGW50N65F5FKSA1 , pdf , 1963 КБ
Datasheet , pdf , 1945 КБ

IGW50N65F5FKSA1, IGBT - характеристики, поставщики

Последняя цена 470 руб.

Техническая документация