ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IGW25N120H3FKSA1, IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-247 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IGW25N120H3FKSA1, IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-247
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IGW25N120H3FKSA1, IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-247
Последняя цена
630 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, от 1100 до 1600 В
Линейка IGBT-транзисторов от Infineon с номинальным напряжением коллектор-эмиттер от 1100 до 1600 В с технологией TrenchStop ™. Ассортимент включает устройства со встроенным высокоскоростным антипараллельным диодом с быстрым восстановлением.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IGW25N120H3FKSA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1249170
Технические параметры
Производитель
Infineon
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Base Product Number
IGW25N120 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Transistor Configuration
Одинарный
Длина
16.13мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
50 A
Максимальное рассеяние мощности
326 Вт
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
21.1мм
Число контактов
3
Размеры
16.13 x 5.21 x 21.1мм
Скорость переключения
1МГц
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Current - Collector (Ic) (Max)
50A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100A
Gate Charge
115nC
Power - Max
326W
Switching Energy
2.65mJ
Td (on/off) @ 25В°C
27ns/277ns
Test Condition
600V, 25A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Тип канала
N
Максимальная рабочая температура
+175 °C
IGBT Type
Trench Field Stop
Ширина
5.21мм
Вес, г
1
Series
TrenchStopВ® ->
Техническая документация
Datasheet IGW25N120H3FKSA1 , pdf
, 2314 КБ