STGB18N40LZT4
Производитель: ST Microelectronics
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)кол-во в упаковке: 1, корпус: TO263 150 ° C, L = 3 мГн
IEWS20R5135IPBXKLA1
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)кол-во в упаковке: 40, корпус: PGTO2476, АБЗащищенный IGBT F-Series представляет собой…
IKW15N120BH6XKSA1
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247, АББиполярные транзисторы с изолированным затвором…
IKB30N65ES5ATMA1
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263, АБIGBT транзистор TRENCHSTOP 5 поколения 650 В,…
IKB30N65EH5ATMA1
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263, АБIGBT транзистор TRENCHSTOP 5 поколения 650 В,…
IKA15N65ET6XKSA2
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБКорпус TO-220-3, Напряжение К-Э максимальное 65…
IKA10N65ET6XKSA2
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220FULLPAK3, АБКорпус TO220FULLPAK3, Напряжение К-Э ма…
IKA08N65ET6XKSA1
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБКорпус TO-220-3, Напряжение К-Э максимальное 65…
IRG4BC40FPBF
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБКорпус TO220AB, Напряжение К-Э максимальное 6…