SGW30N60
Производитель: Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Дискретные IGBT-транзисторы Infineon Дискретные IGBT-транзи…
SGP02N120
Производитель: Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A…
IKW08T120, Транзистор IGBT, 1,2кВ, 8А, 70Вт, TO247-3
Производитель: Infineon Technologies, IKW08T120FKSA1
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop,…
DSEK60-02A
Производитель: Ixys Corporation
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)кол-во в упаковке: 30, корпус: TO3PF, АБКорпус TO3PF, Схема включения диодов 2, общий к…
ISL9V3040S3ST, Транзистор IGBT 400В 21А [D2-PAK/ TO-263AB]
![ISL9V3040S3ST, Транзистор IGBT 400В 21А [D2-PAK/ TO-263AB]](/file/p_img/1638087.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, ISL9V3040S3ST
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 430 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.6 |
| Корпус | d2-pak |
| Технология/семейство | ignition |
| Наличие встроенного диода | нет |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 21 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 150 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 4800 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Корпус TO263
FGA25N120ANTDTU_F109
Производитель: ON Semiconductor
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)кол-во в упаковке: 30, корпус: TO3P, АБКорпус TO3P
HGTG30N60B3D
Производитель: ON Semiconductor
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247, АБКорпус TO-247-3