ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IKW15N120BH6XKSA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IKW15N120BH6XKSA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IKW15N120BH6XKSA1
Последняя цена
190 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247, АБ
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1613556
Технические параметры
Base Product Number
IKW15N120 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO247-3-41
Минимальная рабочая температура
40 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20 V
Current - Collector (Ic) (Max)
30A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60A
Gate Charge
92nC
Power - Max
200W
Switching Energy
700ВµJ (on), 550ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
18ns/240ns
Test Condition
600V, 15A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Reverse Recovery Time (trr)
340ns
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
IGBT Type
Trench Field Stop
Конфигурация
Single
Вес, г
7.933
Pd - рассеивание мощности
200 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.9 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
30 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
30 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
240
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
600 nA
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-247-3
Другие названия товара №
IKW15N120BH6 SP001666618
Серия
TRENCHSTOP IGBT6
Технология
Si
Series
TrenchStopв„ў ->
Коммерческое обозначение
TRENCHSTOP
Техническая документация
Datasheet IKW15N120BH6XKSA1 , pdf
, 2060 КБ
Datasheet IKW15N120BH6XKSA1 , pdf
, 2138 КБ
