Транзисторы - Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) - купить, сравнить


Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

IHW15N120R3FKSA1
IHW15N120R3FKSA1
Производитель: Infineon Technologies

Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247, АБIGBT+ DIODE, 1200V, 15A, TO247 Корпус TO-2…

FF200R12KS4, Силовой IGBT модуль,1200В, 200А
FF200R12KS4, Силовой IGBT модуль,1200В, 200А
Производитель: Infineon Technologies, FF200R12KS4

Модули IGBT, Infineon Модули IGBT Infineon предлагают низкие потери переключения для переключения частот до 60 кГц. БТИЗ охв…

IRG4BH20K-LPBF
IRG4BH20K-LPBF
Производитель: Infineon Technologies

Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO262, АБIGBT Transistor Type IGBT Transistor Polarity…

IRG4PH50SPBF
IRG4PH50SPBF
Производитель: Infineon Technologies

Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)кол-во в упаковке: 25, корпус: TO247AC, АБIGBT, 1200V, 57A, TO-247AC Transistor Type IG…

IRGS4607DPBF
IRGS4607DPBF
Производитель: Infineon Technologies

Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)кол-во в упаковке: 1, корпус: TO263, АБКорпус TO263, Напряжение К-Э максимальное 600 В,…

IRGS4610DPBF
IRGS4610DPBF
Производитель: Infineon Technologies

Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)кол-во в упаковке: 1, корпус: TO263, АБКорпус TO263, Напряжение К-Э максимальное 600 В,…

IKW40T120FKSA1
IKW40T120FKSA1
Производитель: Infineon Technologies

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторыкорпус: TO-247, инфо: Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 270…

IGW15T120FKSA1, IGBT, 30 A 1200 V, 3-Pin TO-247
IGW15T120FKSA1, IGBT, 30 A 1200 V, 3-Pin TO-247
Производитель: Infineon Technologies, IGW15T120FKSA1

IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, от 1100 до 1600 В Линейка IGBT-транзисторов от Infineon с номинальным напряжением колл…

AUIRGP4063D
AUIRGP4063D
Производитель: Infineon Technologies

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторыкорпус: TO-247AC, инфо: Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330…

IRG7PH42UD-EP, IGBT транзистор 1200В 45А 5-40кГц TO247AD
Производитель: Infineon Technologies, IRG7PH42UD-EP
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.7
Корпус to247ad