IKB30N65ES5ATMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 210 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263, АБ

IGBT транзистор TRENCHSTOP 5 поколения 650 В, 30 А с обратно параллельным диодом в корпусе ТО-263-3.

Характеристики:

Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В;

Ток коллектора: 30 А;

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.35 В;

Максимальное напряжение затвор-эмиттер: ±20 В;

Ток коллектора при 25°С: 62 A;

Рассеиваемая мощность: 188 Вт;

Ток утечки затвор-эмиттер: 100 нА;

Заряд затвора: 70 нКл;

Рабочая температура: -40...+175 °C;

Корпус: TO-263-3

Корпус TO263

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1613493

Технические параметры

Минимальная рабочая температура

40 C

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20 V

Максимальная рабочая температура

+ 175 C

Конфигурация

Single

Вес, г

0.1

Pd - рассеивание мощности

188 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

650 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.35 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

62 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

62 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

1000

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Reel, Cut Tape

Упаковка / блок

TO-263-3

Другие названия товара №

IKB30N65ES5 SP001502572

Серия

Trenchstop IGBT5

Технология

Коммерческое обозначение

TRENCHSTOP

Техническая документация

Datasheet , pdf , 213 КБ
Datasheet IKB30N65ES5ATMA1 , pdf , 1477 КБ

IKB30N65ES5ATMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 210 руб.

Техническая документация