ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STGB18N40LZT4 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STGB18N40LZT4
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
STGB18N40LZT4
Последняя цена
110 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
кол-во в упаковке: 1, корпус: TO263
150 ° C, L = 3 мГн
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1614786
Технические параметры
Производитель
STMicroelectronics
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Transistor Configuration
Одинарный
Длина
10.4мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
420 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
30 A
Максимальное рассеяние мощности
150 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
4.6мм
Число контактов
3
Размеры
10.4 x 9.35 x 4.6мм
Скорость переключения
1МГц
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
16V
Тип канала
N
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
9.35мм
Вес, г
1.93
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 888 КБ
