FGA25N120ANTDTU_F109, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 340 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

кол-во в упаковке: 30, корпус: TO3P, АБ

Корпус TO3P

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1638085

Технические параметры

Base Product Number

FGA25 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-3P-3, SC-65-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-3P

Длина

15.8 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Высота

18.9 mm

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20 V

Current - Collector (Ic) (Max)

50A

Current - Collector Pulsed (Icm)

90A

Gate Charge

200nC

Power - Max

312W

Switching Energy

4.1mJ (on), 960ВµJ (off)

Td (on/off) @ 25В°C

50ns/190ns

Test Condition

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.65V @ 15V, 50A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Reverse Recovery Time (trr)

350ns

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

IGBT Type

NPT and Trench

Ширина

5 mm

Конфигурация

Single

Вес, г

7.147

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1200 V

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

50 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

450

Тип продукта

IGBT Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-3PN-3

Другие названия товара №

FGA25N120ANTDTU_F109

Серия

FGA25N120ANTDTU

Технология

Техническая документация

Datasheet FGA25N120ANTDTU-F109 , pdf , 1374 КБ
Datasheet , pdf , 1584 КБ

FGA25N120ANTDTU_F109 - характеристики, поставщики

Последняя цена 340 руб.

Техническая документация