ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
HGTG30N60B3D - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
HGTG30N60B3D
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
HGTG30N60B3D
Последняя цена
300 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247, АБ
Корпус TO-247-3
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1637691
Технические параметры
Base Product Number
HGTG30N60 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-247-3
Длина
15.87 mm
Минимальная рабочая температура
55 C
Высота
20.82 mm
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
+/- 20 V
Current - Collector (Ic) (Max)
60A
Current - Collector Pulsed (Icm)
220A
Gate Charge
170nC
Power - Max
208W
Switching Energy
550ВµJ (on), 680ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
36ns/137ns
Test Condition
480V, 30A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Reverse Recovery Time (trr)
55ns
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Ширина
4.82 mm
Конфигурация
Single
Вес, г
7.007
Pd - рассеивание мощности
208 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.45 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
60 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
60 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
450
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
+/- 250 nA
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-247-3
Другие названия товара №
HGTG30N60B3D_NL
Серия
HGTG30N60B3D
Технология
Si
Непрерывный коллекторный ток
60 A
Техническая документация
HGTG30N60B3D , pdf
, 229 КБ
Datasheet HGTG30N60B3D , pdf
, 312 КБ
Datasheet HGTG30N60B3D , pdf
, 425 КБ
