ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SGP02N120 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
SGP02N120
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
SGP02N120
Последняя цена
320 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1671191
Технические параметры
Длина
10 mm
Минимальная рабочая температура
55 C
Высота
9.25 mm
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20 V
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Ширина
4.4 mm
Конфигурация
Single
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
1200 V
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
6.2 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
500
Тип продукта
IGBT Transistors
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-220-3
Другие названия товара №
SGP2N12XK SP000683106 SGP02N120XKSA1
Серия
SGP02N120
Технология
Si
Техническая документация
Datasheet SGP02N120 , pdf
, 375 КБ
