HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

HGTG5N120BND

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1742153

Вес, г

7.5

Максимальное напряжение КЭ ,В

1200

Напряжение насыщения при номинальном токе, В

2.7

Корпус

to-247

Управляющее напряжение,В

6.8

Технология/семейство

npt

Наличие встроенного диода

да

Максимальный ток КЭ при 25°C, A

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

167

Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс

160

Рабочая температура (Tj), °C

-55…+150

Импульсный ток коллектора (Icm), А

Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс

Структура

n-канал+диод

Дополнительные опции

встроенный быстродействующий диод

HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247] - характеристики, поставщики