IXBN75N170A, Транзистор, IGBT, 1700В, 75А [SOT-227B (minibloc)]
![IXBN75N170A, Транзистор, IGBT, 1700В, 75А [SOT-227B (minibloc)]](/file/p_img/1774030.jpg)
Производитель: Ixys Corporation, IXBN75N170A
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1700 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 6 |
Корпус | SOT-227B |
Технология/семейство | bimosfet |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 75 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 625 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 240 |
IXBF20N300, Транзистор, IGBT, 3000В, 14А [ISOPLUS i4-Pak]
![IXBF20N300, Транзистор, IGBT, 3000В, 14А [ISOPLUS i4-Pak]](/file/p_img/1774029.jpg)
Производитель: Ixys Corporation, IXBF20N300
Максимальное напряжение КЭ ,В | 3000 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.2 |
Корпус | isoplus i4-pak |
Технология/семейство | bimosfet |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 34 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 150 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 150 |
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
ISL9V3040D3ST, Транзистор IGBT 430В 21A [TO-252AA]
![ISL9V3040D3ST, Транзистор IGBT 430В 21A [TO-252AA]](/file/p_img/1773932.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, ISL9V3040D3ST
Максимальное напряжение КЭ ,В | 430 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.6 |
Корпус | d-pak |
Технология/семейство | ignition |
Наличие встроенного диода | нет |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 21 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 150 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 4800 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Контроллеры и драйверы двигателей / движения / зажигания 17a 400V Logic Level
ISL9V2540S3ST, Транзистор IGBT 430В 15.5А 166.7Вт [D2-PAK]
![ISL9V2540S3ST, Транзистор IGBT 430В 15.5А 166.7Вт [D2-PAK]](/file/p_img/1773931.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, ISL9V2540S3ST
Контроллеры и драйверы двигателей / движения / зажигания IGBT Ignition EcoSPARK N-Ch
IRGSL4062DPBF, IGBT 600В 48А TO262
![IRGSL4062DPBF, IGBT 600В 48А TO262](/file/p_img/1773440.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRGSL4062DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.95 |
Корпус | TO-262 |
Технология/семейство | trench |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 48 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 250 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 104 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 96 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 41 |
IRGS6B60KDPBF, Транзистор IGBT 600В 13A 90Вт [D2PAK]
![IRGS6B60KDPBF, Транзистор IGBT 600В 13A 90Вт [D2PAK]](/file/p_img/1773439.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRGS6B60KDPBF
Co-Pack IGBT до 20A, Infineon Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику ши…
IRGS4715DPBF, Транзистор, IGBT, 650В 15А [D2-PAK]
![IRGS4715DPBF, Транзистор, IGBT, 650В 15А [D2-PAK]](/file/p_img/1773438.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRGS4715DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В | 650 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 |
Корпус | d2-pak |
Технология/семейство | gen 6.2 |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 21 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 100 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 100 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 24 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 30 |
IRGS4630DPBF, Транзистор, IGBT, N-канал, 600В, 47А [D2-PAK]
![IRGS4630DPBF, Транзистор, IGBT, N-канал, 600В, 47А [D2-PAK]](/file/p_img/1773437.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRGS4630DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.95 |
Корпус | d2-pak |
Технология/семейство | gen 6.2 |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 47 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 206 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 105 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 54 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 40 |
IRGS4620DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 32А [D2-Pak]
![IRGS4620DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 32А [D2-Pak]](/file/p_img/1773436.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRGS4620DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.85 |
Корпус | d2-pak |
Технология/семейство | gen 6.2 |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 32 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 140 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 83 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 36 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 31 |
IRGS4610DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 16А [D2-Pak]
![IRGS4610DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 16А [D2-Pak]](/file/p_img/1773435.jpg)
Производитель: International Rectifier, IRGS4610DPBF
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 |
Корпус | d2-pak |
Технология/семейство | gen 6.2 |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 16 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 77 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 75 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 18 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 27 |
Корпус TO263, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 16 А, Напряжение насыщения К-Э 2 В, Максимальная мощность 77 В…