ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXBN75N170A, Транзистор, IGBT, 1700В, 75А [SOT-227B (minibloc)] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXBN75N170A, Транзистор, IGBT, 1700В, 75А [SOT-227B (minibloc)]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXBN75N170A, Транзистор, IGBT, 1700В, 75А [SOT-227B (minibloc)]
Последняя цена
10650 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXBN75N170A
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1774030
Технические параметры
Максимальное напряжение КЭ ,В
1700
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
6
Корпус
SOT-227B
Технология/семейство
bimosfet
Наличие встроенного диода
да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
75
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
625
Рабочая температура (Tj), °C
-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А
240
Техническая документация
IXBN75N170A , pdf
, 180 КБ