ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ISL9V2540S3ST, Транзистор IGBT 430В 15.5А 166.7Вт [D2-PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
ISL9V2540S3ST, Транзистор IGBT 430В 15.5А 166.7Вт [D2-PAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
ISL9V2540S3ST, Транзистор IGBT 430В 15.5А 166.7Вт [D2-PAK]
Последняя цена
470 руб.
Сравнить
Описание
Контроллеры и драйверы двигателей / движения / зажигания IGBT Ignition EcoSPARK N-Ch
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
ISL9V2540S3ST
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1773931
Технические параметры
Производитель
ON Semiconductor
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Transistor Configuration
Одинарный
Длина
10.67мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
450 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
15.5 A
Максимальное рассеяние мощности
166,7 Вт
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
4.83мм
Число контактов
3
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±14V
Тип канала
N
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
9.65мм
Вес, г
2.5
Техническая документация
ISL9V2540S3ST , pdf
, 458 КБ
Datasheet ISL9V2540S3ST , pdf
, 453 КБ