ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ISL9V3040D3ST, Транзистор IGBT 430В 21A [TO-252AA] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
ISL9V3040D3ST, Транзистор IGBT 430В 21A [TO-252AA]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
ISL9V3040D3ST, Транзистор IGBT 430В 21A [TO-252AA]
Последняя цена
240 руб.
Сравнить
Описание
Контроллеры и драйверы двигателей / движения / зажигания 17a 400V Logic Level
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
ISL9V3040D3ST
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1773932
Технические параметры
Вес, г
0.4
Максимальное напряжение КЭ ,В
430
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.6
Корпус
d-pak
Технология/семейство
ignition
Наличие встроенного диода
нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
21
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
150
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
4800
Рабочая температура (Tj), °C
-40…+175
Техническая документация
ISL9V3040D_F085_D-2314856 , pdf
, 476 КБ
Datasheet , pdf
, 477 КБ
Datasheet ISL9V3040D3ST , pdf
, 476 КБ