ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXXK160N65B4, Транзистор, XPT GenX4 IGBT, 650В, 160А, 90нс [TO-264] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXXK160N65B4, Транзистор, XPT GenX4 IGBT, 650В, 160А, 90нс [TO-264]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXXK160N65B4, Транзистор, XPT GenX4 IGBT, 650В, 160А, 90нс [TO-264]
Последняя цена
2740 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXXK160N65B4
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1774096
Технические параметры
Максимальное напряжение КЭ ,В
650
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.8
Корпус
TO-264
Технология/семейство
genx4, xpt
Наличие встроенного диода
нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
310
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
940
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
220
Рабочая температура (Tj), °C
-55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А
860
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
52
Техническая документация
IXXK160N65B4 - IXXX160N65B4 , pdf
, 202 КБ
Datasheet IXXK160N65B4 , pdf
, 1466 КБ
Datasheet IXXK160N65B4 , pdf
, 209 КБ