ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXGN200N60B3, Транзистор, GenX3 IGBT, 600В, 200А [SOT-227B (minibloc)] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXGN200N60B3, Транзистор, GenX3 IGBT, 600В, 200А [SOT-227B (minibloc)]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IXGN200N60B3, Транзистор, GenX3 IGBT, 600В, 200А [SOT-227B (minibloc)]
Последняя цена
5110 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXGN200N60B3
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1774073
Технические параметры
Вес, г
37.1
Максимальное напряжение КЭ ,В
600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.5
Корпус
SOT-227B
Технология/семейство
genx3, pt
Наличие встроенного диода
нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
300
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
830
Рабочая температура (Tj), °C
-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А
1200
Техническая документация
IXGN200N60B3 , pdf
, 179 КБ
Datasheet IXGN200N60B3 , pdf
, 185 КБ