2N6039, Транзистор биполярный, NPN Darlington 80В 4А 40Вт [TO-126]
![2N6039, Транзистор биполярный, NPN Darlington 80В 4А 40Вт [TO-126]](/file/p_img/1749059.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2N6039
Структура | npn darlington с 2 резисторами и диодом |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 750 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 40 |
Корпус | to-126 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 25 |
2N6039, Транзистор NPN Darlington 80В 4А 40Вт [TO-225-3]
![2N6039, Транзистор NPN Darlington 80В 4А 40Вт [TO-225-3]](/file/p_img/1749058.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, 2N6039
Структура | npn darlington с 2 резисторами и диодом |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 750 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 40 |
Корпус | to-126 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 25 |
2N6027G-T92-B, Транзистор однопереходный 40В 0.15A 0.3Вт [TO-92 Ammo]
![2N6027G-T92-B, Транзистор однопереходный 40В 0.15A 0.3Вт [TO-92 Ammo]](/file/p_img/1749057.jpg)
Производитель: Unisonic Technologies, 2N6027G-T92-B
Структура | n-база |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0,15 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0,3 |
Корпус | to-92 |
2N6027G, Транзистор однопереходный 40В 0.15A 0.35Вт [TO-92]
![2N6027G, Транзистор однопереходный 40В 0.15A 0.35Вт [TO-92]](/file/p_img/1749056.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, 2N6027G
Структура | n-база |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.15 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.3 |
Корпус | to-92 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 25 |
2N5886G, Транзистор NPN 80V 25A [TO-3]
![2N5886G, Транзистор NPN 80V 25A [TO-3]](/file/p_img/1749055.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, 2N5886G
Силовые транзисторы NPN, ON Semiconductor
2N5884G, Транзистор PNP 80V 25A [TO-3]
![2N5884G, Транзистор PNP 80V 25A [TO-3]](/file/p_img/1749054.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, 2N5884G
Силовые транзисторы PNP, ON Semiconductor
2N5551BU, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт 100МГц [TO-92]
![2N5551BU, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт 100МГц [TO-92]](/file/p_img/1749053.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, 2N5551BU
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 160 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 80 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.625 |
Корпус | to-92 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Малосигнальные NPN-транзисторы, более 100 В, Fairchild Semiconductor
2N5551, Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 150 МГц, 625 мВт, 600 мА, 80 hFE [TO-92]
![2N5551, Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 150 МГц, 625 мВт, 600 мА, 80 hFE [TO-92]](/file/p_img/1749052.jpg)
Производитель: Multicomp, 2N5551
2N5551 является биполярным NPN транзистором 160В, который обладает мощностью рассеивания 625мВт и током коллектора 600мА. • Напряжение ко…
2N5551YBU, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт [TO-92]
![2N5551YBU, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт [TO-92]](/file/p_img/1749051.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, 2N5551YBU
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 160 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.35 |
Корпус | to-92 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Тип упаковки-Bulk (россыпь); Биполярный транзистор
2N5551, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт [TO-92]
![2N5551, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт [TO-92]](/file/p_img/1749050.jpg)
Производитель: Diotec Semiconductor, 2N5551
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 160 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.35 |
Корпус | to-92 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Корпус TO-92-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффиц…