EL

Транзисторы - Биполярные (BJTs) - купить, сравнить

Биполярные (BJTs)

2N5416, Транзистор PNP 350В 1А [TO-39]
2N5416, Транзистор PNP 350В 1А [TO-39]
Производитель: Central Semiconductor Corp, 2N5416
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 120
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 1
Корпус TO-39
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 15

2N5416, Транзистор PNP 350В 1А 10Вт [TO-39]
2N5416, Транзистор PNP 350В 1А 10Вт [TO-39]
Производитель: ST Microelectronics, 2N5416
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 1
Корпус TO-39
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 15

2N5415 TO-39
2N5415 TO-39
Производитель: ST Microelectronics
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 200
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 10
Корпус TO-39
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 15

Биполярный транзистор - [TO-39-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 200 В; UКЭ(пад): 2.5 В; IК(макс): 1 А; Pрасс: 10 Вт; Fгран: 15 МГц Корпус TO39, Тип про…

2N5401, Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 0.625 Вт, 600 мА, 50 hFE [TO-92]
2N5401, Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 0.625 Вт, 600 мА, 50 hFE [TO-92]
Производитель: Multicomp, 2N5401

2N5401 является транзистором с напряжение коллектор--эмиттер 100В и мощностью рассеивания коллектора 625мВт. Это устройство обладает тепловым отк…

2N5401YBU, Транзистор PNP 150В 0.6А 0.6Вт [TO-92] (2N5401)
2N5401YBU, Транзистор PNP 150В 0.6А 0.6Вт [TO-92] (2N5401)
Производитель: ON Semiconductor, 2N5401YBU
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 150
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.35
Корпус to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100

2N5194G, Транзистор PNP 60V 4A [TO-225AA]
2N5194G, Транзистор PNP 60V 4A [TO-225AA]
Производитель: ON Semiconductor, 2N5194G

2N5088G, Транзистор NPN 30В 0.05А, [TO-92]
2N5088G, Транзистор NPN 30В 0.05А, [TO-92]
Производитель: ON Semiconductor, 2N5088G
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.05
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 300…900
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.35
Корпус to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 50

2N5087 PBFREE, Транзистор PNP 50V 0.05A [TO-92]
2N5087 PBFREE, Транзистор PNP 50V 0.05A [TO-92]
Производитель: Central Semiconductor Corp, 2N5087 PBFREE

Биполярные транзисторы - BJT PNP Gen Pur SS

2N4403G, Транзистор PNP 40В 0.6А [TO-92]
2N4403G, Транзистор PNP 40В 0.6А [TO-92]
Производитель: ON Semiconductor, 2N4403G
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 150
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.63
Корпус to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100

2N4403BU, Транзистор PNP 40В 0.6А [TO-92]
2N4403BU, Транзистор PNP 40В 0.6А [TO-92]
Производитель: ON Semiconductor, 2N4403BU
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.35
Корпус to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 200

Малосигнальные транзисторы PNP, 40–50 В, Fairchild Semiconductor