ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N5551BU, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт 100МГц [TO-92] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
2N5551BU, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт 100МГц [TO-92]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2N5551BU, Транзистор NPN 160В 0.6А 0.625Вт 100МГц [TO-92]
Последняя цена
10 руб.
Сравнить
Описание
Малосигнальные NPN-транзисторы, более 100 В, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
2N5551BU
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1749053
Технические параметры
Вес, г
0.3
Структура
npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
0.625
Корпус
to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
100
Техническая документация
2N5551 , pdf
, 211 КБ