ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N5886G, Транзистор NPN 80V 25A [TO-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
2N5886G, Транзистор NPN 80V 25A [TO-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2N5886G, Транзистор NPN 80V 25A [TO-3]
Последняя цена
680 руб.
Сравнить
Описание
Силовые транзисторы NPN, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
2N5886G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1749055
Технические параметры
Вес, г
18
Mounting Type
Through Hole
Transistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Maximum Operating Temperature
+200 °C
Maximum Operating Frequency
1 MHz
Number of Elements per Chip
1
Length
39.37mm
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Transistor Configuration
Single
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Package Type
TO-204AA
Maximum Power Dissipation
200 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
26.67mm
Maximum DC Collector Current
25 A
Height
8.51mm
Pin Count
2
Dimensions
39.37 x 26.67 x 8.51mm
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Minimum DC Current Gain
4
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 146 КБ
2N5886 , pdf
, 98 КБ
Datasheet , pdf
, 145 КБ