ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N6039, Транзистор биполярный, NPN Darlington 80В 4А 40Вт [TO-126] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Inchange Semiconductor
2N6039, Транзистор биполярный, NPN Darlington 80В 4А 40Вт [TO-126]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2N6039, Транзистор биполярный, NPN Darlington 80В 4А 40Вт [TO-126]
Последняя цена
59 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Inchange Semiconductor
Артикул
2N6039
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1749059
Технические параметры
Вес, г
0.9
Структура
npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
40
Корпус
to-126
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
25
Техническая документация
ISC new catalogue , pdf
, 2863 КБ
2N6037..39 Inchange Semiconductor , pdf
, 46 КБ