EL

Транзисторы - Биполярные (BJTs) - купить, сравнить

Биполярные (BJTs)

2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А, (=KSA1013), [TO-92MOD]
2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А, (=KSA1013), [TO-92MOD]
Производитель: Toshiba, 2SA1013-Y
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 160…320
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.9
Корпус to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 15

2SA1012, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-5А, Vceo=-50В, Vcbo=-60В, Pd=25Вт, hFE= 70…240 [TO-220]
2SA1012, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-5А, Vceo=-50В, Vcbo=-60В, Pd=25Вт, hFE= 70…240 [TO-220]
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SA1012
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 70…240
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 25
Корпус to-220
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 60

2П907А
2П907А
Производитель: Россия
Структура n-канал
Корпус кт-162

2N7002
Производитель: DC Components

2N6520TA, Транзистор PNP 350В 0.5А [TO-92 Formed Leads]
2N6520TA, Транзистор PNP 350В 0.5А [TO-92 Formed Leads]
Производитель: ON Semiconductor, 2N6520TA
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 350
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.625
Корпус to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 200

Высоковольтные транзисторы PNP, Fairchild Semiconductor

2N6520, Транзистор PNP 350В 0.5А [TO-92]
2N6520, Транзистор PNP 350В 0.5А [TO-92]
Производитель: DC Components, 2N6520
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 350
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.63
Корпус to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 40

2N6517BU, Транзистор NPN 350В 0.5А [TO-92]
2N6517BU, Транзистор NPN 350В 0.5А [TO-92]
Производитель: Fairchild Semiconductor, 2N6517BU
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 360
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.625
Корпус to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 200

Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

2N6517, Транзистор NPN 350В 0.5А [TO-92]
2N6517, Транзистор NPN 350В 0.5А [TO-92]
Производитель: DC Components, 2N6517
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 350
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.62
Корпус to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 40

2N6491G, Транзистор PNP 15A 80V [TO-220AB]
2N6491G, Транзистор PNP 15A 80V [TO-220AB]
Производитель: ON Semiconductor, 2N6491G
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 75
Корпус to-220
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 5

Силовые транзисторы PNP, ON Semiconductor

2N6488G, Транзистор NPN 80В 15А [TO-220AB]
2N6488G, Транзистор NPN 80В 15А [TO-220AB]
Производитель: ON Semiconductor, 2N6488G
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 90
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 75
Корпус to-220
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 5

Силовые транзисторы NPN, ON Semiconductor