KTC945-P-AT/P, Транзистор NPN 50В 0.1А 0.625Вт [TO-92] (=2SC945P)
![KTC945-P-AT/P, Транзистор NPN 50В 0.1А 0.625Вт [TO-92] (=2SC945P)](/file/p_img/1749547.jpg)
Производитель: Korea Electronics, KTC945-P-AT/P
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.15 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.625 |
| Корпус | to-92 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 300 |
2SC945GR, Транзистор NPN 50В 0.1А 0.25Вт, [TO-92]
![2SC945GR, Транзистор NPN 50В 0.1А 0.25Вт, [TO-92]](/file/p_img/1749546.jpg)
Производитель: Китай, 2SC945GR
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 90…600 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | to-92 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 250 |
2SC828, Транзистор NPN 30В 0.05А 0.25Вт [TO-92]
![2SC828, Транзистор NPN 30В 0.05А 0.25Вт [TO-92]](/file/p_img/1749545.jpg)
Производитель: Matsushita (Panasonic), 2SC828
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.05 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 130 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | to-92 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 220 |
2SC644R
Производитель: Нет торговой марки
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 20 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.05 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 65 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | to-92 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 160 |
2SC6144SG, Транзистор биполярный, NPN 50В 10А 25Вт [TO-220F-3SG]
![2SC6144SG, Транзистор биполярный, NPN 50В 10А 25Вт [TO-220F-3SG]](/file/p_img/1749543.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, 2SC6144SG
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 10 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 200…560 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 25 |
| Корпус | to-220f-3fs |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 330 |
Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 10A 50V
2SC6090, Транзистор биполярный, NPN, Ic=10А, Vceo=700В, Vcbo=1500В, Pd=2Вт, hFE= 5…7 [TO-220F]
![2SC6090, Транзистор биполярный, NPN, Ic=10А, Vceo=700В, Vcbo=1500В, Pd=2Вт, hFE= 5…7 [TO-220F]](/file/p_img/1749542.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SC6090
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 700 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 10 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 15 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 35 |
| Корпус | to-220fp |
2SC6090 формованные выводы, NPN транзистор, 1500В, горизонтальная развертка ТВ, выходные приложения, [TO-220LS]
![2SC6090 формованные выводы, NPN транзистор, 1500В, горизонтальная развертка ТВ, выходные приложения, [TO-220LS]](/file/p_img/1749541.jpg)
Производитель: Sanyo, 2SC6090 формованные выводы
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 700 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 10 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 15 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 35 |
| Корпус | to-220ls |
2SC5949-O(Q), Транзистор NPN 200В 15А [TO-3P(L)]
![2SC5949-O(Q), Транзистор NPN 200В 15А [TO-3P(L)]](/file/p_img/1749540.jpg)
Производитель: Toshiba, 2SC5949-O(Q)
Силовые транзисторы NPN, Toshiba
2SC5803, TO-3P-ISO
Производитель: Fairchild Semiconductor, 2SC5803
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 12 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 15 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 70 |
| Корпус | TO-3PF |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
2SC5707 (TO252), Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=50В, Vcbo=80В, Pd=15Вт, hFE= 200…560 [TO-252]
![2SC5707 (TO252), Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=50В, Vcbo=80В, Pd=15Вт, hFE= 200…560 [TO-252]](/file/p_img/1749538.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SC5707 (TO252)
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 200…560 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 15 |
| Корпус | dpak(to-252) |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 330 |