EL

Транзисторы - Биполярные (BJTs) - купить, сравнить

Биполярные (BJTs)

2SD1525, Транзистор биполярный, NPN, Ic=30А, Vceo=100В, Vcbo=100В, Pd=150Вт , hFE= =1k [TO-3PL]
2SD1525, Транзистор биполярный, NPN, Ic=30А, Vceo=100В, Vcbo=100В, Pd=150Вт , hFE= =1k [TO-3PL]
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD1525
Структура npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 30
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 1000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 150
Корпус to-3pl
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 10

2SD1409A, Транзистор биполярный, NPN, Ic=6А, Vceo=400В, Vcbo=600В, Pd=25Вт, hFE= =600 [TO-220Fa]
2SD1409A, Транзистор биполярный, NPN, Ic=6А, Vceo=400В, Vcbo=600В, Pd=25Вт, hFE= =600 [TO-220Fa]
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD1409A
Структура npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 600
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 25
Корпус to-220fp

2SD1347
2SD1347
Производитель: Sanyo

2SD1330
Производитель: Matsushita (Panasonic)
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 20
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.6
Корпус sc71
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 200

2SD1292
2SD1292
Производитель: Rohm
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 85
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.9
Корпус to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100

2SD1275, Составной (Дарлингтон) транзистор, NPN, с высоким коэффициентом усиления по току
2SD1275, Составной (Дарлингтон) транзистор, NPN, с высоким коэффициентом усиления по току
Производитель: Matsushita (Panasonic), 2SD1275
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 35
Корпус to220fp
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 20

2SD1273, NPN биполярный транзистор
2SD1273, NPN биполярный транзистор
Производитель: Panasonic, 2SD1273
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 500
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 40
Корпус to220fp
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 27

2SD1225M
2SD1225M
Производитель: Нет торговой марки
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 32
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 82
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 1
Корпус sip-3
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 50

2SD1207, Транзистор NPN 50В 2А 1Вт [TO-92MOD]
2SD1207, Транзистор NPN 50В 2А 1Вт [TO-92MOD]
Производитель: Sanyo, 2SD1207
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 1
Корпус to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 150

2SD1047, Транзистор биполярный, NPN, Ic=12А, Vceo=140В, Vcbo=160В, Pd=100Вт [TO-3PN]
2SD1047, Транзистор биполярный, NPN, Ic=12А, Vceo=140В, Vcbo=160В, Pd=100Вт [TO-3PN]
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD1047
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 12
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 60
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 100
Корпус TO-3PN
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 15