Транзисторы - Биполярные (BJTs) - купить, сравнить


Биполярные (BJTs)

2SC5707 (TO251), Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=50В, Vcbo=80В, Pd=15Вт, hFE= 200…560 [TO-251]
2SC5707 (TO251), Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=50В, Vcbo=80В, Pd=15Вт, hFE= 200…560 [TO-251]
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SC5707 (TO251)
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200…560
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 15
Корпус ipak(to-251)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 330

2SC5706, Транзистор NPN 50В 5А 15Вт [TO-252]
2SC5706, Транзистор NPN 50В 5А 15Вт [TO-252]
Производитель: Sanyo, 2SC5706
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 15
Корпус dpak(to-252)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 400

2SC5706 (TO-251), Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=50В, Vcbo=80В, Pd=15Вт, hFE= 200…560 [TO-251]
2SC5706 (TO-251), Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=50В, Vcbo=80В, Pd=15Вт, hFE= 200…560 [TO-251]
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SC5706 (TO-251)
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200…560
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 15
Корпус ipak(to-251)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 400

2SC5706-TL-E, Транзистор NPN 50В 5А [TP-FA / TO-252]
2SC5706-TL-E, Транзистор NPN 50В 5А [TP-FA / TO-252]
Производитель: ON Semiconductor, 2SC5706-TL-E
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0,8
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 400

Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 5A 50V

2SC5696, TO3PF
2SC5696, TO3PF
Производитель: Sanyo, 2SC5696
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 800
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 12
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 85
Корпус TO-3PF
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 0.3

2SC5694, Транзистор NPN 50В 7А [TO-126]
2SC5694, Транзистор NPN 50В 7А [TO-126]
Производитель: Sanyo, 2SC5694
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 7
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 150…300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 10
Корпус to-126
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 330

2SC5686, Транзистор NPN 600В 20А 70Вт [TOP-3E-A1 / SC-94]
2SC5686, Транзистор NPN 600В 20А 70Вт [TOP-3E-A1 / SC-94]
Производитель: Китай, 2SC5686
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 600
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 20
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 70
Корпус to-3e
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 3

2SC5586, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=550В, Vcbo=900В, Pd=80Вт [TO-3PN]
2SC5586, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=550В, Vcbo=900В, Pd=80Вт [TO-3PN]
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SC5586
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 550
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 80
Корпус TO-3PN

2SC5586, Транзистор NPN 600В 5А 70Вт [TO-3PF]
2SC5586, Транзистор NPN 600В 5А 70Вт [TO-3PF]
Производитель: Sanken Electric, 2SC5586
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 600
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 70
Корпус TO-3PF

2SC5521, Мощный высоковольтный NPN биполярный транзистор, драйвер управления строчной разверткой ТВ
2SC5521, Мощный высоковольтный NPN биполярный транзистор, драйвер управления строчной разверткой ТВ
Производитель: Matsushita (Panasonic), 2SC5521
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 800
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 13
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 50
Корпус to3pfm
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 30