2SD1804 [TP-FA], Транзистор NPN 50В 8А 1Вт [TO-252]
![2SD1804 [TP-FA], Транзистор NPN 50В 8А 1Вт [TO-252]](/file/p_img/1749577.jpg)
Производитель: Sanyo, 2SD1804 [TP-FA]
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 70 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 20 |
| Корпус | dpak(to-252) |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 180 |
2SD1803-TO251, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=50В, Vcbo=60В, Pd=20Вт, hFE= 70…400 [TO-251]
![2SD1803-TO251, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=50В, Vcbo=60В, Pd=20Вт, hFE= 70…400 [TO-251]](/file/p_img/1749576.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD1803-TO251
2SD1803-TO252, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=50В, Vcbo=60В, Pd=20Вт, hFE= 70…400 [TO-252]
![2SD1803-TO252, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=50В, Vcbo=60В, Pd=20Вт, hFE= 70…400 [TO-252]](/file/p_img/1749575.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD1803-TO252
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 70…480 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 20 |
| Корпус | dpak(to-252) |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 130 |
2SD1802 (TO-251), Транзистор биполярный, NPN, Ic=3А, Vceo=50В, Vcbo=60В, Pd=15Вт, hFE= 100…560 [TO-251]
![2SD1802 (TO-251), Транзистор биполярный, NPN, Ic=3А, Vceo=50В, Vcbo=60В, Pd=15Вт, hFE= 100…560 [TO-251]](/file/p_img/1749574.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD1802 (TO-251)
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100…560 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 15 |
| Корпус | ipak(to-251) |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 150 |
2SD1802 (TO-252), Транзистор биполярный, NPN, Ic=3А, Vceo=50В, Vcbo=60В, Pd=15Вт, hFE= 100…560 [TO-252]
![2SD1802 (TO-252), Транзистор биполярный, NPN, Ic=3А, Vceo=50В, Vcbo=60В, Pd=15Вт, hFE= 100…560 [TO-252]](/file/p_img/1749573.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD1802 (TO-252)
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 100…560 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 15 |
| Корпус | dpak(to-252) |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 150 |
2SD1761, TO220
Производитель: Нет торговой марки, 2SD1761
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 70 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 35 |
| Корпус | to-220fp |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 8 |
2SD1711, Мощный высоковольтный NPN транзистор с демпферным диодом, управление горизонтальной (строчной) разве
Производитель: Sanyo, 2SD1711
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 50 |
| Корпус | top3e |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
2SD1710, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=50Вт [TO-3PML]
![2SD1710, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=50Вт [TO-3PML]](/file/p_img/1749570.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD1710
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 1500 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 10…40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 50 |
| Корпус | TO-3PML |
2SD1651, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=60Вт, hFE= =8 [TO-3PF]
![2SD1651, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=60Вт, hFE= =8 [TO-3PF]](/file/p_img/1749569.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD1651
| Структура | npn с резистором и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 60 |
| Корпус | TO-3PML |
2SD1651 (C), Транзистор NPN с обратным диодом, 800В 5А 60Вт [TO-3PML]
![2SD1651 (C), Транзистор NPN с обратным диодом, 800В 5А 60Вт [TO-3PML]](/file/p_img/1749568.jpg)
Производитель: Sanyo, 2SD1651 (C)
| Структура | npn с резистором и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 6 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 60 |
| Корпус | to-3pmlh |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |