2SD1649, Транзистор биполярный, NPN, Ic=2.5А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=50Вт, hFE= = 8 [TO-3PML]
![2SD1649, Транзистор биполярный, NPN, Ic=2.5А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=50Вт, hFE= = 8 [TO-3PML]](/file/p_img/1749567.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD1649
| Структура | npn с резистором и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 50 |
| Корпус | TO-3PML |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
2SD1649, Высоковольтный NPN транзистор средней мощности, строчная развертка ТВ
Производитель: Sanyo, 2SD1649
| Структура | npn с резистором и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 50 |
| Корпус | TO-3PML |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
2SD1616A, Транзистор NPN 1A 60V 500mW [SOT-89-3]
![2SD1616A, Транзистор NPN 1A 60V 500mW [SOT-89-3]](/file/p_img/1749565.jpg)
Производитель: Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd, 2SD1616A
2SD1609, Транзистор биполярный, NPN, Ic=0.1А, Vceo=160В, Vcbo=160В, Pd=1.25Вт, hFE= 60…320 [TO-126]
![2SD1609, Транзистор биполярный, NPN, Ic=0.1А, Vceo=160В, Vcbo=160В, Pd=1.25Вт, hFE= 60…320 [TO-126]](/file/p_img/1749564.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD1609
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 160 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 60…320 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 12.5 |
| Корпус | to-126 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 140 |
2SD1609
Производитель: Нет торговой марки
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 160 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1.25 |
| Корпус | to-126 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 140 |
2SD1556, Транзистор, NPN 600В 6А 50Вт [TO-3ML]
![2SD1556, Транзистор, NPN 600В 6А 50Вт [TO-3ML]](/file/p_img/1749562.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD1556
| Структура | npn с резистором и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 600 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 6 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 50 |
| Корпус | to-3ml |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
2SD1555 формованные выводы, Транзистор NPN с обратным диодом, 800В 5А 50Вт [TO-3PML]
![2SD1555 формованные выводы, Транзистор NPN с обратным диодом, 800В 5А 50Вт [TO-3PML]](/file/p_img/1749561.jpg)
Производитель: Toshiba, 2SD1555 формованные выводы
| Структура | npn с резистором и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 50 |
| Корпус | TO-3PML |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
2SD1555, Транзистор, NPN 600В 5А 50Вт [TO-3ML]
![2SD1555, Транзистор, NPN 600В 5А 50Вт [TO-3ML]](/file/p_img/1749560.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD1555
| Структура | npn с резистором и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 600 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 50 |
| Корпус | to-3ml |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
2SD1554, Транзистор NPN 3.5А Vceo=600В Vcbo=1500В 40Вт [TO-3PML]
![2SD1554, Транзистор NPN 3.5А Vceo=600В Vcbo=1500В 40Вт [TO-3PML]](/file/p_img/1749559.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD1554
| Структура | npn с резистором и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 600 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 40 |
| Корпус | TO-3PML |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
2SD1554, Транзистор NPN с обратным диодом, 800В 3.5А 40Вт [TO-3PML]
![2SD1554, Транзистор NPN с обратным диодом, 800В 3.5А 40Вт [TO-3PML]](/file/p_img/1749558.jpg)
Производитель: Toshiba, 2SD1554
| Структура | npn с резистором и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 40 |
| Корпус | TO-3PML |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |