ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SC5949-O(Q), Транзистор NPN 200В 15А [TO-3P(L)] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
2SC5949-O(Q), Транзистор NPN 200В 15А [TO-3P(L)]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2SC5949-O(Q), Транзистор NPN 200В 15А [TO-3P(L)]
Последняя цена
480 руб.
Сравнить
Описание
Силовые транзисторы NPN, Toshiba
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
2SC5949-O(Q)
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1749540
Технические параметры
Вес, г
7.5
Mounting Type
Through Hole
Transistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
30 MHz
Number of Elements per Chip
1
Length
26mm
Maximum Collector Base Voltage
200 V
Transistor Configuration
Single
Brand
Toshiba
Maximum Collector Emitter Voltage
200 V
Package Type
TO-3PL
Maximum Power Dissipation
220 W
Width
20.5mm
Maximum DC Collector Current
15 A
Height
5.2mm
Pin Count
3
Dimensions
5.2 x 26 x 20.5mm
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Minimum DC Current Gain
80
Техническая документация
2SC5949 , pdf
, 125 КБ