2SD1883, Транзистор биполярный, NPN, Ic=4А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=50Вт , hFE= =8 [TO-3PML]
![2SD1883, Транзистор биполярный, NPN, Ic=4А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=50Вт , hFE= =8 [TO-3PML]](/file/p_img/1749587.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD1883
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 50 |
| Корпус | TO-3PML |
2SD1880, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=70Вт, hFE= = 8 [TO-3PF]
![2SD1880, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=70Вт, hFE= = 8 [TO-3PF]](/file/p_img/1749586.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD1880
| Структура | npn с резистором и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 70 |
| Корпус | TO-3PF |
2SD1880, Транзистор NPN с диодом 800В 8А 70Вт [TO-3PML]
![2SD1880, Транзистор NPN с диодом 800В 8А 70Вт [TO-3PML]](/file/p_img/1749585.jpg)
Производитель: Нет торговой марки, 2SD1880
| Структура | npn с резистором и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 70 |
| Корпус | TO-3PML |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
2SD1879, Транзистор биполярный, NPN, Ic=6А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=60Вт, hFE= =8 [TO-3PF]
![2SD1879, Транзистор биполярный, NPN, Ic=6А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=60Вт, hFE= =8 [TO-3PF]](/file/p_img/1749584.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD1879
| Структура | npn с резистором и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 6 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 60 |
| Корпус | TO-3PF |
2SD1879, Транзистор NPN с демпферным диодом 800В 6А 60Вт [TO-3PML]
![2SD1879, Транзистор NPN с демпферным диодом 800В 6А 60Вт [TO-3PML]](/file/p_img/1749583.jpg)
Производитель: Sanyo, 2SD1879
| Структура | npn с резистором и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 6 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 60 |
| Корпус | TO-3PML |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
2SD1878, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=60Вт, hFE= =8 [TO-3PF]
![2SD1878, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=60Вт, hFE= =8 [TO-3PF]](/file/p_img/1749582.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD1878
| Структура | npn с резистором и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 60 |
| Корпус | TO-3PF |
2SD1877, Транзистор биполярный, NPN, Ic=4А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=50Вт, hFE= =8 [TO-3PML]
![2SD1877, Транзистор биполярный, NPN, Ic=4А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=50Вт, hFE= =8 [TO-3PML]](/file/p_img/1749581.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD1877
| Структура | npn с резистором и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 50 |
| Корпус | TO-3PML |
2SD1853
Производитель: Sanyo
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 1000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 3 |
| Корпус | to-92 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 10 |
2SD1825, Транзистор биполярный, NPN, Ic=4А, Vceo=60В, Vcbo=70В, Pd=20Вт, hFE= =2К [TO-220F]
![2SD1825, Транзистор биполярный, NPN, Ic=4А, Vceo=60В, Vcbo=70В, Pd=20Вт, hFE= =2К [TO-220F]](/file/p_img/1749579.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD1825
| Структура | npn darlington с 2 резисторами и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 2000…5000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 20 |
| Корпус | to-220fp |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 20 |
2SD1804, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=50В, Vcbo=60В, Pd=20Вт, hFE= 70…400 [TO-251]
![2SD1804, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=50В, Vcbo=60В, Pd=20Вт, hFE= 70…400 [TO-251]](/file/p_img/1749578.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD1804
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 70…400 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 20 |
| Корпус | ipak(to-251) |