ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SD1651 (C), Транзистор NPN с обратным диодом, 800В 5А 60Вт [TO-3PML] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Sanyo
2SD1651 (C), Транзистор NPN с обратным диодом, 800В 5А 60Вт [TO-3PML]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2SD1651 (C), Транзистор NPN с обратным диодом, 800В 5А 60Вт [TO-3PML]
Последняя цена
98 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Sanyo
Артикул
2SD1651 (C)
P/N
2SD1651
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1749568
Технические параметры
Вес, г
7.3
Структура
npn с резистором и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
1500
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
800
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
10
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
60
Корпус
to-3pmlh
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
3
Техническая документация
2sd1651 , pdf
, 38 КБ