2SD2499, Транзистор, NPN 600В 6А 50Вт [TO-3ML]
![2SD2499, Транзистор, NPN 600В 6А 50Вт [TO-3ML]](/file/p_img/1749607.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD2499
Структура | npn с резистором и диодом |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 600 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 6 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 8…25 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 50 |
Корпус | to-3ml |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 2 |
2SD2499, Транзистор NPN 600В 6А 50Вт [TO-3P]
![2SD2499, Транзистор NPN 600В 6А 50Вт [TO-3P]](/file/p_img/1749606.jpg)
Производитель: Toshiba, 2SD2499
Структура | npn с резистором и диодом |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 600 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 6 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 25 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 50 |
Корпус | to-3p |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 2 |
2SD2498, Транзистор NPN 6А Vceo=600В Vcbo=1500В 50Вт [TO-3PML]
![2SD2498, Транзистор NPN 6А Vceo=600В Vcbo=1500В 50Вт [TO-3PML]](/file/p_img/1749605.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD2498
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 600 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 6 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 10…30 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 50 |
Корпус | TO-3PML |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 2 |
2SD2498, Транзистор NPN 600В 6А 50Вт [TO-3P]
![2SD2498, Транзистор NPN 600В 6А 50Вт [TO-3P]](/file/p_img/1749604.jpg)
Производитель: Toshiba, 2SD2498
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 600 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 6 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 50 |
Корпус | to-3p |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 2 |
2SD2438, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=150В, Vcbo=160В, Pd=75Вт, hFE= = 5K [TO-3PML]
![2SD2438, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=150В, Vcbo=160В, Pd=75Вт, hFE= = 5K [TO-3PML]](/file/p_img/1749603.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD2438
Структура | npn darlington с резистором |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 150 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 5000 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 75 |
Корпус | TO-3PML |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 80 |
2SD2396
Производитель: Rohm
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 400 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 30 |
Корпус | to-220fp |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 50 |
2SD2390, Транзистор биполярный, NPN, Ic=10А, Vceo=150В, Vcbo=160В, Pd=100Вт, hFE= =5К [TO-3PN]
![2SD2390, Транзистор биполярный, NPN, Ic=10А, Vceo=150В, Vcbo=160В, Pd=100Вт, hFE= =5К [TO-3PN]](/file/p_img/1749601.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD2390
Структура | npn darlington с резистором |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 150 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 10 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 5000 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 100 |
Корпус | TO-3PN |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 55 |
2SD2333, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=600В, Vcbo=1500В, Pd=80Вт, hFE= = 8 [TO-3PF]
![2SD2333, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=600В, Vcbo=1500В, Pd=80Вт, hFE= = 8 [TO-3PF]](/file/p_img/1749600.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD2333
Структура | npn с резистором и диодом |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 600 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 8 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 80 |
Корпус | TO-3PF |
2SD2165, Транзистор NPN 100В 6А 30Вт 110МГц [TO-220]
![2SD2165, Транзистор NPN 100В 6А 30Вт 110МГц [TO-220]](/file/p_img/1749599.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, 2SD2165
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 6 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 800 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 30 |
Корпус | to-220 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 110 |
2SD2144S [TPU], Транзистор NPN 20В 0.5А 0.3Вт [SC-72]
![2SD2144S [TPU], Транзистор NPN 20В 0.5А 0.3Вт [SC-72]](/file/p_img/1749598.jpg)
Производитель: Rohm, 2SD2144S [TPU]
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 20 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 820 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.3 |
Корпус | SC-72 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |