BC858CLT1G, Биполярный транзистор, PNP, -30 В, 200 МГц, 300 мВт, -100 мА, 600 hFE [SOT-23]
![BC858CLT1G, Биполярный транзистор, PNP, -30 В, 200 МГц, 300 мВт, -100 мА, 600 hFE [SOT-23]](/file/p_img/1758601.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BC858CLT1G
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 520 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.33 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 300 |
BC858CLT1G - это биполярный транзистор общего назначения PNP, предназначенный для использования в линейных и коммутационных приложениях. Устройс…
BC858CE6327HTSA1, Биполярный транзистор, PNP, -30 В, 200 МГц, 300 мВт, -100 мА, 600 hFE [SOT-23]
![BC858CE6327HTSA1, Биполярный транзистор, PNP, -30 В, 200 МГц, 300 мВт, -100 мА, 600 hFE [SOT-23]](/file/p_img/1758600.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BC858CE6327HTSA1
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 420…800 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
BC858B,215, Транзистор PNP, 30V, 0.1A, [SOT-23]
![BC858B,215, Транзистор PNP, 30V, 0.1A, [SOT-23]](/file/p_img/1758599.jpg)
Производитель: Nexperia, BC858B,215
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 220…475 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 30 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициен…
BC857CW,115, Транзистор PNP 45В 0.1А, [SOT-323]
![BC857CW,115, Транзистор PNP 45В 0.1А, [SOT-323]](/file/p_img/1758598.jpg)
Производитель: Nexperia, BC857CW,115
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 420…800 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.2 |
| Корпус | SOT-323 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
BC857CW - это PNP-транзистор общего назначения, заключенный в пластиковый корпус. Он подходит для использования с коммутацией и усилением общего…
BC857CDW1T1G, Транзисторная сборка 2xPNP 45В 0.1A [SOT-363]
![BC857CDW1T1G, Транзисторная сборка 2xPNP 45В 0.1A [SOT-363]](/file/p_img/1758597.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BC857CDW1T1G
Транзисторы общего назначения PNP, до 1 А, ON Semiconductor
BC857C,215, Транзистор PNP 45В 0.1А 0.3Вт [SOT-23]
![BC857C,215, Транзистор PNP 45В 0.1А 0.3Вт [SOT-23]](/file/p_img/1758596.jpg)
Производитель: Nexperia, BC857C,215
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 420…800 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Малосигнальные транзисторы PNP, Nexperia
BC857C, (КТ3129) SOT23, транзистор
Производитель: Infineon Technologies, BC857C
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 520 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.33 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 300 |
Транзисторы PNP общего назначения, Infineon
BC857C, Биполярный транзистор, PNP 45В 0.1А 0.3Вт [SOT-23]
![BC857C, Биполярный транзистор, PNP 45В 0.1А 0.3Вт [SOT-23]](/file/p_img/1758594.jpg)
Производитель: Semi-Conductor Holdings Limited, BC857C
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 520 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.33 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 300 |
BC857BWH6327XTSA1, Транзистор, [SOT-323]
![BC857BWH6327XTSA1, Транзистор, [SOT-323]](/file/p_img/1758593.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BC857BWH6327XTSA1
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 220…475 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.225 |
| Корпус | SOT-323 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Транзисторы PNP общего назначения, Infineon
BC857BS,115, Транзистор, 2хPNP, -45В, -200мА, [SC-88 / SOT-363]
![BC857BS,115, Транзистор, 2хPNP, -45В, -200мА, [SC-88 / SOT-363]](/file/p_img/1758592.jpg)
Производитель: Nexperia, BC857BS,115
| Структура | 2 x pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.2 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 220…475 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.2 |
| Корпус | SOT-363 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Корпус TSSOP6, Тип проводимости и конфигурация PNP/PNP, Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэфф…