BC856BMTF, Транзистор PNP 65В 0.1А 0.25Вт 100МГц, [SOT-23]
![BC856BMTF, Транзистор PNP 65В 0.1А 0.25Вт 100МГц, [SOT-23]](/file/p_img/1758581.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BC856BMTF
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 65 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 220…475 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
BC856BLT1G, Транзистор PNP 65В 0.1А 0.25Вт 100МГц, [SOT-23]
![BC856BLT1G, Транзистор PNP 65В 0.1А 0.25Вт 100МГц, [SOT-23]](/file/p_img/1758580.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BC856BLT1G
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 65 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 220…475 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
BC856BLT1G - это биполярный транзистор общего назначения PNP, предназначенный для использования в линейных и коммутационных приложениях. Устройс…
BC856B,215, Транзистор PNP 65В 0.1А 0.25Вт 100МГц, [SOT-23]
![BC856B,215, Транзистор PNP 65В 0.1А 0.25Вт 100МГц, [SOT-23]](/file/p_img/1758579.jpg)
Производитель: Nexperia, BC856B,215
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 65 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 220…475 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 65 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициен…
BC856A,215, Транзистор PNP 65В 0.1А [ SOT-23 ]
![BC856A,215, Транзистор PNP 65В 0.1А [ SOT-23 ]](/file/p_img/1758578.jpg)
Производитель: Nexperia, BC856A,215
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 65 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 125…250 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Транзистор PNP серии BC856 в пластиковом корпусе SMD с низким током и напряжением. Используется для коммутации и усиления общего назначения.
BC856,215, Транзистор PNP 65В 0.1А [SOT-23]
![BC856,215, Транзистор PNP 65В 0.1А [SOT-23]](/file/p_img/1758577.jpg)
Производитель: Nexperia, BC856,215
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 65 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 125…475 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Малосигнальные транзисторы PNP, Nexperia
BC850CW,115, Транзистор NPN 45V 0.1A [SOT-323]
![BC850CW,115, Транзистор NPN 45V 0.1A [SOT-323]](/file/p_img/1758576.jpg)
Производитель: Nexperia, BC850CW,115
Корпус SC703, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициен…
BC850C,215, Транзистор NPN 45В 0.1А [SOT-23-3]
![BC850C,215, Транзистор NPN 45В 0.1А [SOT-23-3]](/file/p_img/1758575.jpg)
Производитель: Nexperia, BC850C,215
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 420…800 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициен…
BC850B,215, [SOT-23]
![BC850B,215, [SOT-23]](/file/p_img/1758574.jpg)
Производитель: Nexperia, BC850B,215
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 200…450 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
NPN-транзисторы общего назначения, Nexperia
BC848CLT1G, Транзистор NPN, 100mA, 30V, [SOT-23]
![BC848CLT1G, Транзистор NPN, 100mA, 30V, [SOT-23]](/file/p_img/1758573.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BC848CLT1G
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 420…800 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.225 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 30 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффиц…