ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC858CE6327HTSA1, Биполярный транзистор, PNP, -30 В, 200 МГц, 300 мВт, -100 мА, 600 hFE [SOT-23] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BC858CE6327HTSA1, Биполярный транзистор, PNP, -30 В, 200 МГц, 300 мВт,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC858CE6327HTSA1, Биполярный транзистор, PNP, -30 В, 200 МГц, 300 мВт, -100 мА, 600 hFE [SOT-23]
Последняя цена
5 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BC858CE6327HTSA1
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1758600
Технические параметры
Вес, г
0.05
Структура
pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
420…800
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
0.25
Корпус
sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
100
Техническая документация
BC857B datasheet , pdf
, 256 КБ