BCR158, Транзистор PNP Digital 50В 0.1А 0.2Вт R=2.2K/47K [SOT23], (obs)
![BCR158, Транзистор PNP Digital 50В 0.1А 0.2Вт R=2.2K/47K [SOT23], (obs)](/file/p_img/1758662.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BCR158
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.2 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 150 |
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP - с предварительным смещением 50 В 100 мА 200 МГц 200 мВт поверхностный монтаж SOT-23-3…
BCR148W, Транзистор
Производитель: Infineon Technologies, BCR148W
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 70 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | SOT-323 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
BCR146E6327HTSA1, Биполярный транзистор NPN Digital [SOT-23-3]
![BCR146E6327HTSA1, Биполярный транзистор NPN Digital [SOT-23-3]](/file/p_img/1758660.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BCR146E6327HTSA1
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.2 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 150 |
BCR142E6327HTSA1, Транзистор, NPN Digital, [SOT23-3]
![BCR142E6327HTSA1, Транзистор, NPN Digital, [SOT23-3]](/file/p_img/1758659.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BCR142E6327HTSA1
| Структура | npn с 2 резисторами |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.2 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 150 |
NPN DIGITALTRANS.22K/47K SOT23 Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50…
BCR135E6327HTSA1, Транзистор NPN DGTL AF [SOT-23] (WJs)
![BCR135E6327HTSA1, Транзистор NPN DGTL AF [SOT-23] (WJs)](/file/p_img/1758658.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BCR135E6327HTSA1
| Структура | npn с 2 резисторами |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.2 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 150 |
Цифровые транзисторы с двумя резисторами, Infineon Линейка биполярных переходных транзисторов от Infineon, оснащенных встрое…
BCR133E6327HTSA1, Транзистор, NPN Digital, 50В, 0.1А, 0.2Вт, R1=10кОм, R2=10кОм, [SOT-23]
![BCR133E6327HTSA1, Транзистор, NPN Digital, 50В, 0.1А, 0.2Вт, R1=10кОм, R2=10кОм, [SOT-23]](/file/p_img/1758657.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BCR133E6327HTSA1
| Структура | npn с 2 резисторами |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.2 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 130 |
Цифровые транзисторы с двумя резисторами, Infineon Линейка биполярных переходных транзисторов от Infineon, оснащенных встрое…
BCR129E6327HTSA1, Транзистор TRANS PREBIAS NPN 200мВ [SOT-23-3]
![BCR129E6327HTSA1, Транзистор TRANS PREBIAS NPN 200мВ [SOT-23-3]](/file/p_img/1758656.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BCR129E6327HTSA1
BCR112E6327HTSA1, Trans Digital BJT NPN 50В 100мА, [SOT-23]
![BCR112E6327HTSA1, Trans Digital BJT NPN 50В 100мА, [SOT-23]](/file/p_img/1758655.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BCR112E6327HTSA1
| Структура | npn с 2 резисторами |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.2 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 140 |
Цифровые транзисторы с двумя резисторами, Infineon Линейка биполярных переходных транзисторов от Infineon, оснащенных встрое…
BCR108E6327HTSA1, Цифровой транзистор NPN 50В 100мА 200мВт R1=2.2кОм R2=47кОм [SOT-23-3]
![BCR108E6327HTSA1, Цифровой транзистор NPN 50В 100мА 200мВт R1=2.2кОм R2=47кОм [SOT-23-3]](/file/p_img/1758654.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BCR108E6327HTSA1
| Структура | npn с 2 резисторами |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.2 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 170 |
NPN DIGI-TRANS.2.2K/47K SOT23 Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В…
BCP69T1G SOT223
Производитель: ON Semiconductor
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 25 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 85 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1.5 |
| Корпус | to-261aa |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Транзисторы общего назначения PNP, до 1 А, ON Semiconductor