ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC857CDW1T1G, Транзисторная сборка 2xPNP 45В 0.1A [SOT-363] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BC857CDW1T1G, Транзисторная сборка 2xPNP 45В 0.1A [SOT-363]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC857CDW1T1G, Транзисторная сборка 2xPNP 45В 0.1A [SOT-363]
Последняя цена
6 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы общего назначения PNP, до 1 А, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
BC857CDW1T1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1758597
Технические параметры
Вес, г
0.1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Collector Base Voltage
-50 В
Brand
ON Semiconductor
Maximum Power Dissipation
380 мВт
Maximum DC Collector Current
100 мА
Dimensions
2.2 x 1.35 x 1.1мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-0,65 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-0,9 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 157 КБ
Datasheet , pdf
, 83 КБ