BC857BDW1T1G, Транзисторная сборка, 2-PNP, 45В, 100мА [SOT-363 / SC-88]
![BC857BDW1T1G, Транзисторная сборка, 2-PNP, 45В, 100мА [SOT-363 / SC-88]](/file/p_img/1758591.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BC857BDW1T1G
Структура | 2 x pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 220…475 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0,25 |
Корпус | sot-363 / sc-88 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Dual PNP Bipolar Transistor Корпус SOT-323-6, Тип проводимости и конфигурация 2 PNP, Рассеиваемая мощность 380 мВт, Напряжение КЭ максимальное…
BC857BMTF, Транзистор PNP 45В 0.1А 150мГц 0.33Вт [SOT-23]
![BC857BMTF, Транзистор PNP 45В 0.1А 150мГц 0.33Вт [SOT-23]](/file/p_img/1758590.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BC857BMTF
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 220…475 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.225 |
Корпус | sot-23 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
BC857BLT1G, Транзистор PNP 45В 0.1А 300мГц 0.33Вт [SOT-23]
![BC857BLT1G, Транзистор PNP 45В 0.1А 300мГц 0.33Вт [SOT-23]](/file/p_img/1758589.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BC857BLT1G
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 220…475 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.225 |
Корпус | sot-23 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
BC857BLT1G - кремниевый биполярный транзистор PNP -45 В, разработанный для использования в линейных и коммутационных приложениях. Устройство под…
BC857B, Транзистор PNP 45В 0.1А 300мГц 0.33Вт [SOT-23]
![BC857B, Транзистор PNP 45В 0.1А 300мГц 0.33Вт [SOT-23]](/file/p_img/1758588.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BC857B
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 290 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.33 |
Корпус | sot-23 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 300 |
BC857ALT1G, Транзистор PNP 45В 0.1А 0.3Вт [SOT-23]
![BC857ALT1G, Транзистор PNP 45В 0.1А 0.3Вт [SOT-23]](/file/p_img/1758587.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BC857ALT1G
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 125…250 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.225 |
Корпус | sot-23 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Малосигнальные транзисторы PNP, ON Semiconductor
BC857A,215, Транзистор PNP 45В 0.1А 0.3Вт, [SOT-23]
![BC857A,215, Транзистор PNP 45В 0.1А 0.3Вт, [SOT-23]](/file/p_img/1758586.jpg)
Производитель: Nexperia, BC857A,215
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 125…250 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
Корпус | sot-23 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициен…
BC857,215, Транзистор PNP 45В 0.1А, [SOT-23]
![BC857,215, Транзистор PNP 45В 0.1А, [SOT-23]](/file/p_img/1758585.jpg)
Производитель: Nexperia, BC857,215
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 125…800 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
Корпус | sot-23 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7
BC857, Биполярный транзистор, PNP, -45 В, 100 МГц, 250 мВт, -100 мА, 125 hFE [SOT-23]
![BC857, Биполярный транзистор, PNP, -45 В, 100 МГц, 250 мВт, -100 мА, 125 hFE [SOT-23]](/file/p_img/1758583.jpg)
Производитель: Multicomp, BC857
BC857 является универсальным PNP транзистором с низкими значениями напряжения и тока. Предназначен для использования с универсальными устройствам…
BC856BW,115, Транзистор PNP 65В 0.1А 0.25Вт 100МГц, [SOT-323]
![BC856BW,115, Транзистор PNP 65В 0.1А 0.25Вт 100МГц, [SOT-323]](/file/p_img/1758582.jpg)
Производитель: Nexperia, BC856BW,115
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 65 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 220…475 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.2 |
Корпус | SOT-323 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
Корпус SC703, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 65 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициен…