BD809G, Транзистор, NPN, 80В, 10А [TO-220AB], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 87 руб.

Сравнить

Описание

Силовые транзисторы NPN, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

BD809G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1758769

Технические параметры

Вес, г

3.06

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Transistor Type

NPN

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.1 V dc

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

1 MHz

Number of Elements per Chip

Length

10.28mm

Maximum Collector Base Voltage

80 V dc

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

80 V

Package Type

TO-220

Maximum Power Dissipation

90 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.82mm

Maximum DC Collector Current

10 A

Height

15.75mm

Pin Count

Dimensions

10.28 x 4.82 x 15.75mm

Maximum Emitter Base Voltage

5 В

Minimum DC Current Gain

Техническая документация

BD809-D , pdf , 90 КБ
Datasheet , pdf , 231 КБ
Datasheet BD809G , pdf , 229 КБ

BD809G, Транзистор, NPN, 80В, 10А [TO-220AB] - характеристики, поставщики

Последняя цена 87 руб.

Техническая документация