BD439, Транзистор NPN 60В 4А 36Вт [SOT-32 / TO-126]
![BD439, Транзистор NPN 60В 4А 36Вт [SOT-32 / TO-126]](/file/p_img/1758742.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, BD439
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 20…130 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 36 |
Корпус | to-126 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
BD438STU, Транзистор PNP 45В 4А 36Вт [TO-126]
![BD438STU, Транзистор PNP 45В 4А 36Вт [TO-126]](/file/p_img/1758741.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BD438STU
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 36 |
Корпус | to-126 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
Биполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Sil
BD438, Транзистор PNP 45В 4А 36Вт [SOT-32]
![BD438, Транзистор PNP 45В 4А 36Вт [SOT-32]](/file/p_img/1758740.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, BD438
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 36 |
Корпус | to-126 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
Силовые транзисторы PNP, STMicroelectronics
BD437S, [TO-126]
![BD437S, [TO-126]](/file/p_img/1758739.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BD437S
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30…130 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 36 |
Корпус | to-126 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
BD437, Транзистор биполярный, NPN, Ic=4А, Vceo=45В, Vcbo=45В, Pd=36Вт [SOT-32]
![BD437, Транзистор биполярный, NPN, Ic=4А, Vceo=45В, Vcbo=45В, Pd=36Вт [SOT-32]](/file/p_img/1758738.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, BD437
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30…130 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 36 |
Корпус | to-126 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
Силовые транзисторы NPN, STMicroelectronics
BD436 TO126
Производитель: ST Microelectronics
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 32 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 36 |
Корпус | to-126 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
BD434, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-4А, Vceo=-22В, Vcbo=-22В, Pd=36Вт , hFE= = 85 [TO-126]
![BD434, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-4А, Vceo=-22В, Vcbo=-22В, Pd=36Вт , hFE= = 85 [TO-126]](/file/p_img/1758736.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, BD434
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 22 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 40 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 36 |
Корпус | to-126 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
BD249C, Транзистор NPN 100В 25A [TO-220]
![BD249C, Транзистор NPN 100В 25A [TO-220]](/file/p_img/1758733.jpg)
Производитель: Multicomp, BD249C
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 25 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 5 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 3 |
Корпус | to-220 |
25A • Усиление постоянного тока 5 при Ic = 25A • Продукты Multicomp Pro имеют рейтинг 4,6 из 5 звезд • 12-месячная ограниченная гаран…
BD244CTU, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 65 Вт, -6 А, 15 hFE [TO-220AB] (=BD244CG)
![BD244CTU, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 65 Вт, -6 А, 15 hFE [TO-220AB] (=BD244CG)](/file/p_img/1758732.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BD244CTU
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 6 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 65 |
Корпус | to-220 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
Биполярные транзисторы - BJT PNP/7A/100V/TO-220
BD244B, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-6А, Vceo=-80В, Vcbo=-80В, Pd=65Вт, hFE =30 [TO-220]
![BD244B, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-6А, Vceo=-80В, Vcbo=-80В, Pd=65Вт, hFE =30 [TO-220]](/file/p_img/1758730.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, BD244B
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 6 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 65 |
Корпус | to-220 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |