ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BFQ18A,115, Транзистор ВЧ, NPN 18В 4ГГц [SOT-89-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BFQ18A,115, Транзистор ВЧ, NPN 18В 4ГГц [SOT-89-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BFQ18A,115, Транзистор ВЧ, NPN 18В 4ГГц [SOT-89-3]
Последняя цена
110 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные РЧ транзисторы, Nexperia
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Артикул
BFQ18A,115
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1758861
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Вес, г
0.635
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
25 В
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
1.6 x 4.6 x 2.6мм
Высота
1.6мм
Длина
4.6мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
2.6мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
18 В
Максимальный пост. ток коллектора
150 mA
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 В
Максимальная рабочая частота
4000 MHz
Число контактов
4
Тип корпуса
UPAK
Производитель
NXP
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
25
Техническая документация
BFQ18A_N , pdf
, 227 КБ
Datasheet BFQ18A.115 , pdf
, 223 КБ