ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BFR193FH6327XTSA1, ВЧ транзистор NPN 12В 8ГГц [PG-TSFP-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BFR193FH6327XTSA1, ВЧ транзистор NPN 12В 8ГГц [PG-TSFP-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BFR193FH6327XTSA1, ВЧ транзистор NPN 12В 8ГГц [PG-TSFP-3]
Последняя цена
11 руб.
Сравнить
Описание
РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTOR
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BFR193FH6327XTSA1
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1758867
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
12в
Рассеиваемая Мощность
580мВт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
80мА
DC Усиление Тока hFE
70hFE
Частота Перехода ft
8ГГц
Вес, г
0.1
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Корпус РЧ Транзистора
TSFP
Техническая документация
Datasheet BFR193F , pdf
, 537 КБ
Datasheet BFR193FH6327XTSA1 , pdf
, 531 КБ